DC sweepは、カーブトレーサーです｡
ここでは、IRF530というN-MOS FETの例を示します｡
図１
まず回路図を書きます｡
図２
右上のDC Sweepにチェックを入れます｡次にDevice nameにV1を書きます｡するとグラフのX軸はV1になります｡
Start、Stop ValueはV1の最小値と最大値です｡ここでは0Vから50Vまでです｡Number of pointsは分解能です｡100にしました｡
これだけではドレイン電流とドレイン電圧だけのぐらふなので、ゲート電圧を振って見ます｡
図３
それには、Enable multi-stepにチェックを入れてDefineボタンを押します｡
図４
ゲート電圧を変えるのはV2なので､Deviceにチェックをいれ、Device nameにV2と書き､Start,Stop valueを書きます｡
ここでは0.5VステップなのでNumber of stepsを9にしました｡
シミュレーションして､Probe→Current in device pinでドレインをヒットするとグラフが出ます｡
図５
このようになります。ここでは、ゲート電圧3.5V以上でないと電流が流れないことが分かります｡
過渡解析の「第二節 オプション指定（過渡解析だけではありません）」も参照してください｡
つづく