R R
図１ 定電圧源タイプ 図２ 定電流源タイプ
となります｡
RとトランスのインピーダンスでDFは決まりますから､同じです｡ということは､5極管でも3極管並みのDFはULやKNFでなくてもいけるということです｡
5極管の場合Sgがありますので､これが変動するとカソードの電流が狂いますのでこれを定電流化しないといけません｡
定電流源タイプはRはいらないのですがそうするとDF＝０になりますので､電力損失がありますがトランスと並列にRを入れます｡
では、具体的な例を検討してみましょう｡
図３ 検討図
実際5極管の場合を検討する前にFETでA級PPを検討してみましょう｡この図では､合成抵抗は3Kと8Kで2182Ωです。でバイアスを60mAとしてフルスイングするとPPでので入力の半サイクルの波高値では左側が120mAで右側が0mAですから合成抵抗の電流は120mA0-ｐですね｡ということは､実効値は､1/√2ですから、84.9mArmsです。すると合成抵抗の両端の電圧は84.9mAX2182Ω=185Vrmsです。トランスからとりだせる電力は185VX185V/8000Ω=4.28Wとなります｡DFは8/3=2.6ですね｡抵抗は11.4Wですね｡
必要とされるB電圧は、PPですから片側は半分になりますから185V/2、波高値は185/2X√2＝130V0-pですからプレートの最大は260V以上となります。５極管はニー電圧が低いですから＋Bは200Vくらいでよいでしょう。するとプレート損失は200VX60ｍＡより12Wですね｡6BQ6で十分ですね｡実際は､カソード分持ち上げなければなりません｡
効率は､
カソードにはケミコンはありません｡トランスの交流回路は3Kがつながるだけで､それ以外は全て交流的には大体関係なくなります｡
とすれば、ぺるけ師匠の3極管の差動のような動作の図式になりますね｡
DFを２にすれば､3Kが4Kになり､合成抵抗2667Ω、電圧226Vですから､トランスから6.38Wとれます｡抵抗は12.8Wです。
バイアス電流を80mAとすると160mA0-pですから､113mArmsです。トランスを5K、DF=3として、抵抗は1667Ω、合成抵抗は1250Ωですね。電圧は141Vrmsですから、約4W取れます｡プレート最大電圧は､262V以上、200Vくらいでプレート損失は大きくなります。
DF=2として合成抵抗1667Ω（計算方法：トランスのインピーダンス/（DF+1))より、電圧は113mAX1667Ω=188Vより､188X188/5000=7Wとなり結構いけることがわかります｡