単段反転アンプ
Ver.1.002 2020.06.19

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2020.04.19 Ver.1.000 新規作成
2020.05.09 Ver.1.001 目次追加 第一章記事追加 第二章追加
2020.06.19 Ver.1.002 第二章記事追加

はじめに

反転アンプとは、図1のようなものです。

図1 反転アンプの基本回路

左の抵抗はRi次はRf出力の抵抗はRLです。

反転アンプのゲインを-A倍とすると、Aが十分大きければ、出力電圧Voutが、有限なので、反転アンプの入力電圧は限りなく0です。
反転アンプの入力電流は、反転アンプの入力電圧と入力インピーダンスで決まりますが、入力電圧がほぼ0なので、反転アンプの入力電流は0になります。
したがって、信号源の電圧をViとするとその電流Iiは、Vi/Riとなり、そのままRfに流れます。 反転アンプの入力電圧は限りなく0なので、ここにコンデンサがあってもほとんど電流は流れないので、無視されます。

MOSFETの反転アンプの等価回路は、図2です。

図2 MOSFETの反転アンプの等価回路

つまり、Cissは、無視できるということで、高域特性は、RfとCrssで決まります。

Crssは、図3のように、ドレイン電圧に依存します。


図3 VDSとCiss,Crss,Cossの関係例

このように、ドレイン電圧が高くなると急減します。

図2は、トランジスタでもJ-FETでも同じです。トランジスタでは、CissがCib,CrssがCobとなるだけで、VCBによって依存することに は、おなじです。


図4 トランジスタのVCBとCobの関係例

J-FETもVGDに依存し、CrssはVGDが大きくなると小さくなります。


図5 J-FETのVGDとCiss,Crssの関係例

したがって、高域特性は、VGSかVCBによって改善できるようです。

たとえば、図3のMOSFETは、VDSを25Vにすると、Crssは4pFに改善できますが、VDSを5Vで使うと、9.5PFになり、高域特性が半分 以下になります。

たとえば、2SK369は、Crss=15pFで、2SK170は、Crss=6PFで、2SK30Aは、Crss=2.6PFで、この順で、高域特性 は、倍に伸びることになりますね。

また、カスコード接続をとると、大幅にCrssを小さくできます。2SK369でもカスコード接続すれば、超ハイゲインで高周波特性は、2SK30Aと差 がなくなります。

さて、FETもトランジスタも電流を流したほうがゲインを稼ぐことができます。


図6 J-FETのYfsとドレイン電流の関係例

オープンゲインを稼ぐとき、電流を流したほうがいい結果が得られます。


第1章 単段反転アンプ

また、単段反転アンプは、以下に示すように、位相が回っても90°なので、安定に帰還をかけられ、オープンゲインは、頑張れば、70dB〜100dBにも 達するのです。

OPアンプは、当時は多段でないとハイゲインはできなかったのです。それで、2ポール補償のワイドラーになったのです。2ポール補償とは、見かけ上単段ア ンプにすることです。

でも、今なら単段で、100dBも稼げるのです。これは、OPアンプが、目指していたハイゲインなのです。単段で、それが出来れば、位相は90°しか回ら ず、極めて安定に帰還がかけられるのです。OPアンプが目指していた理想が現実になったのです。

2ポール補償は、第一ポールと第二ポールの間はほぼ位相は90°です。しかし、第二ポールを上に移動することは困難で、第一ポールを下げるしかなかったの です。それで、100Hzという事になったのです。

それは、一般の帰還アンプにも言えることで、多段構成で、2ポール補償になるのがこれまでの伝統であったのです。

それが、単段でできるようになったのです。これは、大きな前進です。

一般に100Hz,1KHz,10KHzの3本の歪特性のカーブが重なるのは、下を見ればわかりますが、オープンゲインのカットオフが10KHz以上でな ければなりません。

OPアンプの場合、オープンゲインのカットオフが100Hzなので、100Hz,1KHz,10KHzの3本の歪特性のカーブが100Hz,1KHzすら 重らないし、当然10KHzも重なりません。

それは、それは、一般の帰還アンプにも言えることで、多段構成で、2ポール補償で、オープンゲインが、10KHz以下であると、100Hz,1KHz, 10KHzの3本の歪特性のカーブが重なりません。


第1節 2SC1815GR 抵抗負荷


R7,R8,R5,D1は、DCバイアス用の帰還回路です。AC帰還は、C4,R11,C2,R9で、帰還量はR11とR9で決まり、ゲインは、- R11/R9です。-は、反転するという意味です。








第2節 2SK170GR 抵抗負荷


定電流源は1mAの 定電流ダイオードです。









10KHz 方形波特性



100KHZ 方形波特性

第3節 BS170抵抗負荷










第4節 2SK369抵抗負荷



2SK369を測定 しました。定電流源は1mAの定電流ダイオードです。
ドレイン電圧は27.9Vでした。計算通りです。

オープンゲインは48.6dBありましたが、グラフから見ると-3dBは5~6KHzくらいです。
クローズドゲインはグラフから見ると-3dbが500KHzくらいです。








第5節 2SC2120-Y抵抗負荷



掲示板より

この回路で2SC2120-Yを測定しました。

高域が伸びてないので、歪率の10KHzが悪くなっています。









第6節 2SC1775A抵抗負荷



この回路で 2SC1775Aを測定しました。

R5を22Kから18Kにしています。

オープンゲインは53dBです。








第7節 2SC1775A定電流ダイオード負荷



1mAの定電流源は 1mAの定電流ダイオードです。コレクタは26Vでした。

歪は、20dBアンプで、1KHz1Vで、0.0022%でした。
ノイズレベルが-75dBなので、ほぼ近いです。








第8節 2SC1815GR定電流ダイオード負 荷



2SC1815GR でもやって見ました。1mAの定電流源は1mAの定電流ダイオードです。

位相は、180°から90°になって安定です。

オープンゲインは71dB、-3dBは3KHz、クローズドゲインは-3dBは800KHzくらいでした。



200Hz以下で位 相は大きく変わって見えますが、180°を超えたのです。実際は右から左に連続しているのです。









入力抵抗を3.3K にしました。

シミュレーションによれば、ゲインが下がって、オープンゲインの高域が13KHzに伸びるはずですが、現実は、76dBのゲインとなりました。-3dBは 5KHzくらいかな。


400Hz以下で位相は大きく変わって見えますが、180°を超えたのです。実際は右から左に連続しているのです。


第9節2SC1815GR抵抗定電流ダイオード 負荷

76dBのゲインを 65dBに落とし、-3dBを15KHzにしました。

1mAの定電流源は1mAの定電流ダイオードです。これに、100Kをパラにしました。

ドレイン電圧は29Vでした。

入力抵抗は3.3Kです。




300Hz以下で位 相は大きく変わって見えますが、180°を超えたのです。実際は右から左に連続しているのです。







第10節2SK170GR抵抗定電流ダイオード負 荷




2SK170GRを 定電流ダイオード負荷で測定しました。

1mAの定電流源は1mAの定電流ダイオードです。


2SK170の CRD(定電流ダイオード)と39Kパラです。

ドレイン電圧は27.9Vでした。






第11節2SK30AGR定電流ダイオード負荷


2SK30Aに 1mAのCRD(定電流ダイオード)を負荷にして、ゲインは56dB、-3dBは10KHzでした。

位相も90°でいいんじゃないかな?

ドレイン電圧は 23.5Vでした。

なお、回路図の電圧マーカーの表示はでたらめです。




60Hz以下で位相 は大きく変わって見えますが、180°を超えたのです。実際は右から左に連続しているのです。







第2章 単段非反転アンプ

単段非反転アンプは、単段反転アンプから派生したものです。


図2−0−1単段非反転アンプの概略 R1,R5,C3は、帰還回路

アンプはQ2のベース接地アンプをQ1のエミッタフォロアで駆動するものです。ベース接地アンプは、ハイインピーダンスなので、Q3のエミッタフォロアで 低インピーダンスに変換します。

R1,R5,C3は、帰還回路を構成します。帰還量は、R1,R5で決まります。

バイアス用のDC帰還を追加したのが、下図です。


図2−0−2 単段非反転アンプの回路図 ただしC1,R7,定電流源I1は、定電流ダイオードをモデル化したもの

これは単段非反転アンプの回路図です。

ベース接地アンプは、エミッタから流れ込んだ信号電流が、ほとんどそのままコレクタから流れ出るので、負荷抵抗が大きいほどハイゲインになります。

負荷抵抗だとハイゲインを狙うと高抵抗になり、動作点が微小コレクタ電流になってしまいます。
一般にトランジスタは、コレクタ電流に比例してftは大きくなるので、コレクタ電流は流したほうがゲインが稼げていいのです。高抵抗で、しかもそこそこの 電流を流すとなると、矛盾しますが、その解決策は定電流ダイオードになるのです。

つまり、動作点と負荷抵抗を別々に決められて、都合がいいのです。

この回路の実測特性は、

図2−0−3 周波数特性  

図2−0−4 位相特性(オープンゲイン)



図2−0−5 歪率特性



図2−0−6 高調波特性

第1節2SK369-V定電流ダイオード負荷



C1,I1,R6は、1mAの定電流ダイオードの2パラのイメージです。R6の値は間違っています。










第2節 2SK170GR定電流ダイオード負荷












0.5mAの定電流ダイオードの2パラです。







第3節2SC2120-Y定電流ダイオード負荷



C1,I1,R6は、1mAの定電流ダイオードの2パラのイメージです、









第4節2SC1815GR定電流ダイオード負荷


C1,I1,R6は、1mAの定電流ダイオードの2パラのイメージです、